Fox ESS incorpora la tecnología de carburo de silicio de Infineon para aumentar la eficiencia de sus sistemas de almacenamiento residencial
Infineon Technologies AG suministra semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) a Fox ESS con el objetivo de mejorar la eficiencia de sus sistemas residenciales de almacenamiento de energía (ESS).
Gracias a los MOSFET CoolSiC de 1200 V G2 de Infineon en encapsulado Q-DPAK, Fox ESS ha logrado reducir las pérdidas de conmutación en un 70 %. Como resultado, el sistema de almacenamiento de energía PQ3-Ultra de la compañía alcanza una eficiencia máxima del inversor fotovoltaico de hasta el 98,78 % en funcionamiento conectado a red y una eficiencia máxima de carga/descarga de la batería de hasta el 98,47 %.
“Con nuestros MOSFET de SiC en encapsulado Q-DPAK, estamos haciendo posible un nuevo nivel de eficiencia, rendimiento térmico y flexibilidad de diseño para los sistemas residenciales de almacenamiento de energía”, afirmó Amit Raut, Application Manager Photovoltaic and Residential ESS de Infineon. “Fox ESS está demostrando cómo la tecnología SiC avanzada puede traducirse en mejoras medibles a nivel de sistema y contribuir a una mayor adopción de soluciones de energía limpia en hogares de todo el mundo”.
“La colaboración con Infineon es uno de los pilares fundamentales de nuestra estrategia para ofrecer soluciones de almacenamiento de energía de alto rendimiento”, afirmó Daniel Deng, Director de I+D de Fox ESS. “La tecnología CoolSiC de Infineon ofrece una eficiencia superior y una fiabilidad excepcional, valores que encajan perfectamente con nuestra filosofía. Trabajando juntos, seguiremos mejorando el rendimiento de los sistemas residenciales de almacenamiento de energía y acelerando la adopción de las energías renovables”.
Dentro del sistema de almacenamiento de energía de Fox ESS, los MOSFET CoolSiC de 1200 V G2 de Infineon, con encapsulado Q-DPAK y refrigeración por la parte superior, ofrecen un rendimiento térmico, una eficiencia de sistema y una densidad de potencia optimizados. Estos dispositivos están diseñados específicamente para aplicaciones exigentes que requieren un alto rendimiento y fiabilidad. Gracias a la avanzada tecnología de interconexión.XT de Infineon, reducen la resistencia térmica y la temperatura de funcionamiento de la unión, mientras que la arquitectura de puerta tipo trench contribuye a reducir las pérdidas de conmutación.
En comparación con los diseños convencionales refrigerados por la parte inferior, el encapsulado Q-DPAK permite optimizar el diseño de la PCB, ayudando a reducir los efectos parásitos y la inductancia parásita, al tiempo que proporciona una gestión térmica superior. Su diseño compacto permite desarrollar sistemas que ocupan menos espacio, mientras que su compatibilidad con procesos de ensamblaje automatizados facilita una fabricación escalable y eficiente en costes.
Para su solución ESS híbrida, que combina el inversor PQ-H3-Ultra-10.0 con la batería EQ3300-5, Fox ESS ha alcanzado un System Performance Index (SPI) del 97,0 % en una reciente prueba realizada por HTW Berlin y AQUU Research. Este resultado sitúa a Fox ESS en primera posición en la categoría de 10 kW entre todos los sistemas híbridos de inversor y almacenamiento evaluados en 2026 y representa la puntuación SPI más alta registrada desde que comenzó esta evaluación en 2018. Durante los últimos tres años, Fox ESS ha instalado más de 890.000 inversores fotovoltaicos y más de 1 millón de baterías en más de 70 países.
