ROHM integra sus MOSFET de SiC en la ‘Neue Klasse’ de BMW
ROHM Semiconductor anuncia que sus innovadoras soluciones de semiconductores de potencia se están utilizando en plataformas de vehículos eléctricos de uno de los principales fabricantes mundiales de automóviles prémium. En la 'Neue Klasse' de BMW, los chips de SiC (carburo de silicio) de ROHM contribuyen a mejorar la eficiencia, el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas de propulsión eléctrica del vehículo.
Los componentes de alto rendimiento integrados en el vehículo desempeñan funciones clave de la electrónica de potencia y están diseñados para ofrecer una alta eficiencia energética, así como un funcionamiento fiable en las exigentes condiciones del sector de la automoción. De este modo, contribuyen de forma importante a optimizar la autonomía, las prestaciones de carga y la eficiencia energética general de los vehículos eléctricos.
“La integración de nuestros MOSFET de SiC en la 6.ª Gen. de vehículos eléctricos de BMW, más conocida como Neue Klasse, pone de relieve la experiencia tecnológica de ROHM en electrónica de potencia para automoción”, afirma Wolfram Harnack, presidente de ROHM Semiconductor GmbH: “Nos enorgullece contribuir al avance de la movilidad eléctrica de próxima generación junto con BMW Group a través de nuestra tecnología SiC. Esto subraya nuestro compromiso a largo plazo de prestar apoyo a nuestros clientes del sector de la automoción con productos de alta calidad y gran fiabilidad”.
ROHM cuenta con una amplia experiencia en el desarrollo y la fabricación de semiconductores de potencia para aplicaciones de automoción y trabaja en estrecha colaboración con fabricantes de vehículos y proveedores Tier 1 de todo el mundo para impulsar activamente la electrificación y la descarbonización de la movilidad.
