Infineon amplía su familia CoolGaN BDS de 40 V para reducir hasta un 82% el espacio
Infineon ha anunciado la ampliación de su familia CoolGaN BDS 40 V G3 con dos nuevos dispositivos bidireccionales diseñados para aplicaciones de electrónica de consumo portátil. Las nuevas soluciones permiten reducir hasta un 82% el espacio ocupado en placa y disminuir a la mitad el número de componentes necesarios en diseños de smartphones, portátiles y dispositivos ‘wearable’.
La compañía Infineon ha incorporado los modelos IGK048B041S e IGK120B041S a su gama CoolGaN BDS 40 V G3, orientada a sistemas de alimentación compactos de alta eficiencia. Los nuevos dispositivos integran en un único componente la funcionalidad de dos MOSFET de silicio conectados ‘back-to-back’, simplificando así el diseño de las placas PCB y reduciendo significativamente el espacio requerido.
Según explica la empresa, esta integración permite a los equipos de ingeniería reutilizar diseños de controladores existentes, evitando rediseños complejos y acelerando la salida al mercado de nuevos productos electrónicos.
Johannes Schoiswohl, responsable de la línea de negocio GaN de Infineon Technologies, señala: “A medida que los dispositivos de consumo siguen reduciendo su tamaño mientras aumentan las demandas de potencia, los ingenieros afrontan una presión creciente para ofrecer más con menos. Los nuevos dispositivos CoolGaN BDS responden directamente a este desafío”.
El directivo añade además que “cada dispositivo integra la función de dos MOSFET de silicio en un único componente, reduciendo a la mitad el número de componentes y simplificando los diseños PCB”.
Diseñados para smartphones, portátiles y ‘wearables’
Los nuevos dispositivos son compatibles con accionamiento de puerta de 5 V y se presentan en encapsulados WLCSP de tamaño reducido, concretamente de 2,1 x 2,1 mm² y 1,7 x 1,2 mm², orientados a equipos electrónicos con fuertes limitaciones de espacio.
El modelo de mayor tamaño alcanza una resistencia RDD (on) de 4,2 mΩ, mientras que el dispositivo compacto ofrece 9 mΩ. Además, la compañía destaca mejoras relevantes en rendimiento de conmutación y corrientes de fuga frente a soluciones competidoras.
En concreto, la carga de puerta se reduce aproximadamente un 40% respecto a dispositivos equivalentes, lo que contribuye a disminuir pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia en aplicaciones de carga rápida. Asimismo, la corriente de fuga Drain-Drain es más de un 85% inferior en comparación con alternativas del mercado, reduciendo el calentamiento térmico y favoreciendo la fiabilidad a largo plazo.
Protección bidireccional y nuevas arquitecturas de potencia
A diferencia de los MOSFET tradicionales basados en silicio, los dispositivos CoolGaN BDS permiten bloqueo bidireccional tanto de tensión como de corriente. Esta característica resulta especialmente relevante en aplicaciones de protección frente a sobretensiones USB en smartphones y dispositivos portátiles, donde es necesario evitar corrientes inversas no deseadas que puedan dañar componentes sensibles.
La tecnología también está orientada a funciones de conmutación de carga y multiplexación de potencia en arquitecturas de alimentación multicanal, donde se requiere un control preciso de la dirección de la corriente entre diferentes líneas de suministro.
Con la incorporación de los nuevos IGK048B041S e IGK120B041S, la familia CoolGaN BDS 40 V G3 queda formada por tres dispositivos, junto con el modelo IGK080B041S lanzado previamente, cubriendo así aplicaciones que van desde dispositivos ‘wearable’ compactos hasta portátiles de altas prestaciones.
Impulso a la fabricación de GaN sobre obleas de 300 mm
Infineon destaca además que durante el último año ha realizado más de 40 anuncios de nuevos productos basados en tecnología GaN. La compañía continúa avanzando en la fabricación escalable de dispositivos GaN sobre obleas de 300 milímetros, cuyos primeros modelos de muestra ya están siendo enviados a clientes.
Según la empresa, esta evolución permitirá incrementar la capacidad de producción y acelerar el suministro de soluciones GaN de alta calidad, reforzando su posicionamiento en este mercado.
