MOSFET Super-Junction con nuevo encapsulado de elevada eficiencia
STMicroelectronics ha introducido el primer MDmesh V Super-Junction MOSFET con una nueva tecnología de encapsulado que incrementa la eficiencia de la circuitería eléctrica en electrodomésticos, televisores, ordenadores (PC) y fuentes de alimentación de modo conmutado.
El encapsulado TO247-4 4-lead ofrece una conexión de fuente directa usada sólo para control de conmutación, mientras que los modelos convencionales aportan una conexión tanto para conmutación como para potencia.
La carga extra contribuye a aumentar la eficiencia de conmutación y reducir las pérdidas de energía con el objetivo de permitir una operación con frecuencias más elevadas en fuentes de alimentación más compactas.
ST ha desarrollado este encapsulado en colaboración con Infineon, que también ha lanzado sus propios dispositivos Super-Junction, proporcionando la flexibilidad de una segunda fuente para los usuarios.
“El TO247-4 es una alternativa económica que requiere una mínima modificación de la distribución de PCB a la hora de reemplazar un dispositivo TO-247 estándar, lo que simplifica su adopción en sistemas de alimentación. Los nuevos MOSFET MDmesh con este encapsulado aportan mejoras en rendimiento medioambiental de equipos al aumentar la eficiencia energética en modos activos”, señala Maurizio Giudice, Director de Marketing de la División de Transistores de Potencia de STMicroelectronics.
Este novedoso encapsulado se caracteriza por una construcción interna que implementa una conexión Kelvin a la fuente. Dicha conexión evita la inductancia de la fuente de alimentación principal y elimina hasta un 60 por ciento de las pérdidas de conmutación para que los diseñadores puedan usar frecuencias superiores que requieren componentes de filtrado más compactos.
La combinación de este encapsulado con la tecnología MDmesh Super-Junction de ST alcanza una de las mayores eficiencias de conducción por área de silicio y logra el máximo ahorro energético posible.
El STW57N65M5-4 es el primer MOSFET MDmesh con encapsulado TO247-4. Este transistor incrementa la eficiencia energética en circuitos de Corrección de Factor de Potencia (PFC) activa y convertidores eléctricos full-bridge o half-bridge de una amplia variedad de productos de electrónica de consumo e industrial.
También destaca por su inmunidad al ruido para reducir la vulnerabilidad a la interferencia electromagnética (EMI), elevado ratio de tensión para aumentar los márgenes de seguridad, alta capacidad dv / dt y 100 % avalanche tested para garantizar el uso en diseños rugerizados.
