Semiconductores de potencia para entornos industriales exigentes, con refrigeración superior
Infineon lanza los MOSFET CoolSiC de 1200 V G2 en encapsulado Q-DPAK
Infineon Technologies ha anunciado el lanzamiento de sus nuevos MOSFET CoolSiC de 1200 V G2 en encapsulado Q-DPAK con refrigeración por la parte superior (top-side cooled). Estos dispositivos están orientados a aplicaciones industriales críticas que requieren una elevada fiabilidad y eficiencia, como cargadores para vehículos eléctricos, inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida, variadores de frecuencia y disyuntores de estado sólido.
La tecnología G2 representa una evolución significativa respecto a la generación anterior. Según Infineon, permite reducir hasta un 25 % las pérdidas de conmutación en dispositivos con RDS(on) equivalente, lo que se traduce en una mejora de la eficiencia del sistema de hasta un 0,1 %. Además, gracias a la tecnología de interconexión mejorada.XT, se logra una resistencia térmica un 15 % menor y una reducción del 11 % en la temperatura del MOSFET frente a los modelos de la familia G1.
La nueva gama incluye valores de RDS(on) de entre 4 mΩ y 78 mΩ, lo que permite a los diseñadores optimizar el rendimiento del sistema según la aplicación específica. Además, los dispositivos admiten operaciones en sobrecarga hasta una temperatura de unión de 200 °C y presentan una alta resistencia frente al encendido parasitario, lo que garantiza su fiabilidad en condiciones exigentes y dinámicas.
La nueva gama incluye valores de RDS(on) de entre 4 mΩ y 78 mΩ, lo que permite a los diseñadores optimizar el rendimiento del sistema según la aplicación específica.
Encapsulado Q-DPAK y refrigeración eficiente
Los nuevos CoolSiC de Infineon están disponibles en dos configuraciones: interruptor simple y medio puente dual. Ambas se integran dentro de la plataforma X-DPAK de refrigeración superior de la compañía, que unifica la altura de los encapsulados TSC (2,3 mm) para facilitar el diseño, escalabilidad y montaje bajo un mismo disipador.
El encapsulado Q-DPAK mejora notablemente la disipación térmica al permitir una transferencia directa de calor desde la parte superior del dispositivo al disipador, lo que favorece diseños más compactos. Además, reduce la inductancia parásita y el riesgo de sobretensión en conmutaciones rápidas, y su pequeño tamaño facilita la automatización del ensamblaje y una producción rentable a gran escala.
Los nuevos MOSFET CoolSiC de 1200 V G2 en Q-DPAK ya están disponibles.
