Rutronik impulsa la electrónica de potencia con el nuevo RAK-GaN
Con el nuevo RAK-GaN Application Kit, Rutronik amplía su cartera de soluciones en electrónica de potencia avanzada y refuerza su papel como socio de desarrollo para sistemas de próxima generación. Esta plataforma de evaluación permite probar, validar y optimizar conceptos de control de motores y conversión de potencia basados en tecnología de nitruro de galio (GaN), combinando microcontroladores de alto rendimiento con semiconductores de última generación para aplicaciones donde la eficiencia, la densidad de potencia y la integración son factores determinantes.
Los transistores HEMT (High Electron Mobility Transistor) de GaN se han consolidado como una tecnología clave para mejorar la eficiencia y reducir el tamaño de los sistemas de potencia. Gracias a su elevada movilidad electrónica, baja carga de puerta y reducidas capacitancias parásitas, permiten alcanzar frecuencias de conmutación mucho más altas que los MOSFET de silicio tradicionales.
Estas características reducen las pérdidas de conmutación y la generación de calor, además de permitir el uso de componentes pasivos más compactos, como inductores y condensadores. El resultado son diseños de menor tamaño, con mayor densidad de potencia y una eficiencia energética superior. Aunque los dispositivos GaN siguen teniendo un coste unitario superior al de los MOSFET convencionales, las ventajas a nivel de sistema —como menores necesidades de refrigeración y arquitecturas simplificadas— pueden traducirse en una reducción del coste total de la solución.
El RAK-GaN ha sido concebido como una plataforma de desarrollo para aplicaciones de potencia de alta exigencia. Su núcleo está basado en la familia de microcontroladores PSOC Control, equipada con procesadores Arm Cortex-M33 optimizados para control digital de potencia y motores.
Entre sus prestaciones destacan un PWM de alta resolución inferior a 100 ps, convertidores analógico-digitales de 12 MSPS con muestreo síncrono y comparadores integrados de menos de 10 ns. Estas capacidades permiten implementar algoritmos de control altamente dinámicos, apoyados además por aceleradores hardware como CORDIC y una arquitectura de disparo de baja latencia.
La combinación de estas funciones con los HEMT GaN integrados facilita el desarrollo de sistemas de conmutación de alta frecuencia. El kit es compatible con accionamientos trifásicos BLDC/PMSM de 48 V y convertidores DC-DC tipo buck, incorporando además protección frente a corrientes de irrupción, detección de sobrecorriente y medición precisa mediante sensores TMR de Infineon.
El kit integra componentes de fabricantes líderes incluidos en el catálogo de Rutronik y facilita su incorporación a entornos de desarrollo ya existentes. Dispone de múltiples interfaces, puntos de medida y opciones de expansión, incluida compatibilidad con placas Arduino, lo que agiliza la creación de prototipos y la validación de diseños.
El RAK-GaN está orientado a mercados de alto crecimiento como la automatización industrial, las energías renovables, la electromovilidad, las fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones, así como las aplicaciones de hogar inteligente y electrodomésticos.
