Microchip presenta sus módulos de potencia HV‑D3 mSiC de 3,3 kV
Microchip Technology anuncia la disponibilidad de sus nuevos módulos de potencia HV-D3 mSiC de 3,3 kV, diseñados para facilitar y acelerar la adopción los transformadores de estado sólido (SST) en centros de datos hiperescalares de IA y otras aplicaciones de alimentación a alta tensión. Los nuevos módulos integran MOSFET mSiC de carburo de silicio (SiC) de 3,3 kV y diodos Schottky en un encapsulado estándar de 62 mm para una alimentación eficiente y directa desde la red de media tensión hasta el rack de servidores.
Estos módulos utilizan la tecnología mSiC MOSFET de Microchip, que ofrece una excelente estabilidad de RDS(on) respecto a la temperatura mediante un encapsulado que aporta un aislamiento de 6 kV, incorpora materiales con clasificación CTI 600 y prolonga las líneas de fuga, diseñadas para permitir una conexión segura en serie para alta tensión. El sustrato de nitruro de silicio (Si3N4) mejora la conectividad térmica y su capacidad para resistir ciclos de alimentación, por lo que ayudan a los ingenieros a aumentar la densidad de potencia con una refrigeración menos agresiva.
Los módulos de potencia HV-D3 mSiC se suministran en configuraciones de medio puente y fuente común, con y sin diodos Schottky antiparalelo, para aplicaciones en el rango de 100-300A. La tecnología MOSFET mSiC de Microchip ofrece unas pérdidas equilibradas de conmutación para topologías de conmutación dura y suave, de ahí que estos dispositivos sean muy apropiados para diseños con SST y otros sistemas de alta frecuencia y alta tensión.
