EE.UU. veta productos de Innoscience por infringir patentes de Infineon
La Comisión de Comercio Internacional de Estados Unidos (ITC) ha fallado a favor de Infineon en el litigio por infracción de patentes relacionado con tecnología de nitruro de galio (GaN) y ha ordenado restricciones de importación y venta contra productos de Innoscience en el mercado estadounidense.
La Comisión de Comercio Internacional de Estados Unidos (ITC) ha ratificado la resolución preliminar emitida en diciembre de 2025, concluyendo que Innoscience infringió una patente de Infineon vinculada a tecnología de nitruro de galio (GaN). Como consecuencia, el organismo ha ordenado prohibiciones de importación y comercialización de productos GaN de Innoscience en Estados Unidos. La decisión definitiva queda ahora sujeta a un periodo de revisión presidencial de 60 días.
Desde Infineon destacan que esta resolución refuerza el valor estratégico de su cartera de propiedad intelectual en semiconductores de potencia. Johannes Schoiswohl, vicepresidente sénior y responsable de la línea de negocio de sistemas GaN de la compañía, afirmó: “Esta decisión vuelve a poner de relieve la solidez de la propiedad intelectual de Infineon. Refuerza nuestro compromiso de proteger activamente la cartera de patentes de Infineon y defender una competencia justa en la industria”.
El directivo añadió además que “con nuestra fabricación de GaN de 300 milímetros, líder en la industria, estamos en una posición única para escalar la innovación y ofrecer las ventajas de rendimiento, calidad y costes que nuestros clientes necesitan para acelerar la descarbonización y la digitalización”.
Infineon se ha convertido en el primer fabricante de semiconductores en desarrollar con éxito tecnología de obleas de potencia GaN de 300 milímetros dentro de su infraestructura existente de fabricación de gran volumen.
Infineon refuerza su posición en el mercado GaN
La resolución de la ITC se suma a otros procedimientos abiertos entre ambas compañías. En Alemania, Infineon mantiene un litigio paralelo ante el Tribunal Regional de Múnich I por la supuesta infracción de tres patentes y un modelo de utilidad. En agosto de 2024, el tribunal alemán ya dictaminó la infracción de una primera patente de Infineon por parte de Innoscience, mientras que nuevos juicios relacionados con otro conjunto de derechos de propiedad intelectual están previstos para junio de 2026.
Infineon señala que cuenta con una de las carteras de propiedad intelectual más amplias del sector en tecnología GaN, con alrededor de 450 familias de patentes. El nitruro de galio se ha convertido en una tecnología clave para el desarrollo de sistemas de potencia de alta eficiencia energética en aplicaciones como energías renovables, centros de datos para IA, automatización industrial y vehículos eléctricos.
Los semiconductores basados en GaN permiten diseños más compactos gracias a una mayor densidad de potencia, velocidades de conmutación más rápidas y menores pérdidas energéticas, reduciendo además el consumo eléctrico y la generación de calor. La compañía destaca asimismo su capacidad para trabajar con las tres tecnologías principales de materiales para electrónica de potencia: silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN).
