Infineon presenta un diseño de referencia de fuente de alimentación de 12 kW para centros de datos de IA
Infineon Technologies ha lanzado un diseño de referencia de 12 kW para fuentes de alimentación de alto rendimiento, dirigido a centros de datos de inteligencia artificial y aplicaciones de servidores.
El modelo destaca por su alta eficiencia y densidad de potencia, empleando semiconductores de silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN). Está orientado a ingenieros de I+D, diseñadores de hardware y desarrolladores de sistemas de electrónica de potencia.
El diseño de referencia de la fuente de alimentación de 12 kW de Infineon aprovecha todos los materiales semiconductores relevantes: silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN).
Eficiencia y densidad energética
El diseño utiliza topologías avanzadas de conversión tanto en las etapas de potencia AC/DC como DC/DC. El convertidor AC/DC frontal integra una arquitectura PFC de tres niveles con condensador volante intercalado, que logra una eficiencia máxima superior al 99 % y reduce el volumen de los componentes magnéticos gracias a la tecnología CoolSiC. Por su parte, el convertidor DC/DC aislado incorpora un puente completo resonante LLC, alcanzando eficiencias superiores al 98,5 % mediante transformadores planos de alta frecuencia y tecnología CoolGaN. En conjunto, estas innovaciones permiten una densidad de potencia de hasta 113 W/in.
Almacenamiento de energía bidireccional
Otro aspecto destacado es el búfer de energía bidireccional integrado, que cumple los requisitos de tiempo de retención con una menor necesidad de capacitancia. Además, contribuye a la estabilidad de la red eléctrica, limitando fluctuaciones y la variación de potencia demandada durante eventos transitorios.
La compañía presenta este diseño durante OktoberTech Taipei, que se celebra el 11 de septiembre.
