ROHM presenta un nuevo MOSFET para servidores de IA con alto rendimiento SOA y baja resistencia ON*

ROHM ha lanzado al mercado el MOSFET de potencia de 100V RY7P250BM, optimizado para circuitos de hot-swap en sistemas de alimentación de 48V, utilizados en servidores de inteligencia artificial y fuentes de alimentación industriales que requieren protección con batería. 

ROHM presenta un nuevo MOSFET para servidores de IA con un rendimiento SOA líder en la industria* y baja resistencia ON.

Con el rápido avance de la tecnología de IA, los centros de datos se enfrentan a exigencias de procesamiento sin precedentes y el consumo energético de los servidores continúa aumentando año tras año. En particular, el uso creciente de IA generativa y GPUs de alto rendimiento ha generado la necesidad de mejorar simultáneamente la eficiencia energética y soportar mayores intensidades de corriente. Para afrontar estos retos, la industria está migrando de sistemas de 12V a arquitecturas de alimentación de 48V más eficientes. Además, en los circuitos de hot-swap que permiten sustituir módulos con el servidor encendido de forma segura, se requieren MOSFETs que ofrezcan tanto un amplio rango de operación segura (SOA) como una baja resistencia ON, para proteger frente a corrientes de irrupción y sobrecargas.

El RY7P250BM reúne estas características clave en un encapsulado compacto tamaño 8080, ayudando a reducir la pérdida de energía y las necesidades de refrigeración en centros de datos, al tiempo que mejora la fiabilidad de los servidores y su eficiencia energética. A medida que crece la demanda de MOSFETs en formato 8080, este nuevo componente se presenta como sustituto directo en diseños existentes. Destaca por su amplio SOA (VDS = 48V, Pw = 1ms/10ms), ideal para operaciones hot-swap. La pérdida de potencia y la generación de calor se reducen al mínimo gracias a su baja resistencia ON líder en la industria de 1,86mΩ (VGS = 10V, ID = 50A, Tj = 25°C), lo que supone una mejora de aproximadamente el 18% respecto a los 2,28mΩ típicos de otros MOSFETs de 100V con SOA amplio en el mismo formato.

Una alta tolerancia SOA es esencial en circuitos hot-swap, especialmente en servidores de IA donde se producen corrientes de irrupción elevadas. El RY7P250BM responde a esta necesidad, soportando 16A durante 10ms y 50A durante 1ms, lo que permite gestionar cargas elevadas que los MOSFETs convencionales no pueden manejar.

Este nuevo componente de ROHM ha sido certificado como componente recomendado por un proveedor líder de plataformas cloud, y se espera que sea adoptado ampliamente en servidores de IA de nueva generación. En aplicaciones de servidor donde la fiabilidad y la eficiencia energética son factores críticos, la combinación de un SOA amplio y baja RDS(on) ha sido altamente valorada para infraestructuras cloud.

De cara al futuro, ROHM seguirá ampliando su gama de soluciones de potencia compatibles con 48V para servidores y equipos industriales, contribuyendo al desarrollo de una infraestructura TIC más sostenible y al ahorro energético mediante productos de alta eficiencia y fiabilidad.

• Sistemas de servidores de IA de 48V y circuitos hot-swap en centros de datos.
• Sistemas de alimentación industrial de 48V (por ejemplo, carretillas elevadoras, herramientas eléctricas, robots, motores de ventilador).
• Equipos industriales alimentados por batería, como vehículos guiados automatizados (AGV).
• Sistemas de alimentación de emergencia y SAI (unidades de respaldo por batería).

• Fecha de lanzamiento comercial: mayo de 2025.
• Distribuidores online: DigiKey, Mouser y Farnell.
• El producto estará disponible en otros distribuidores online a medida que se incorporen.
• Referencia del producto: RY7P250BM.

EcoMOS es la marca de MOSFETs de silicio de ROHM diseñada para aplicaciones energéticamente eficientes en el sector de dispositivos de potencia. Se utiliza ampliamente en electrodomésticos, equipos industriales y sistemas de automoción. EcoMOS ofrece una gama diversa que permite seleccionar productos en función de parámetros clave como el ruido y las características de conmutación, adaptándose a requisitos específicos.

* Estudio interno de ROHM del 1 de julio de 2025 sobre MOSFETs de potencia de 100V en tamaño 8080 existentes.