Rohm amplía su gama de dispositivos de potencia para ofrecer soluciones completas de alimentación
Rohm Semiconductor presenta sus productos de potencia más recientes en PCIM, la feria comercial más importante para electrónica de potencia, movimiento inteligente y gestión de la energía, que se celebra en Núremberg del 16 al 18 de mayo de 2017.
El ahorro de energía y la reducción de los costes del sistema en todo tipo de sistemas se ven fuertemente influidos por la elección del dispositivo de potencia adecuado. Gracias a sus nuevos desarrollos como resultado de las numerosas iniciativas de investigación y diseño del grupo, Rohm es capaz de ofrecer a sus clientes no solo una gama integral de productos eficientes y compactos para sus aplicaciones, sino también una solución completa para el canal de alimentación. La compañía da a conocer sus semiconductores de potencia en 5 categorías: SiC, CI de potencia, automóvil, industrial y accionamiento de motores.
Productos destacados
Controlador de puerta de Mosfet de SiC
La nueva serie amplía el catálogo existente, ofrece nuevas soluciones que aumentan la flexibilidad y mejora el diseño de los sistemas de alimentación para la industria y el automóvil. El primer producto presentado en esta serie es un dispositivo controlador de puerta AEC-Q100 con un aislamiento de 3,75KV especialmente diseñado para controlar un Mosfet de potencia de SiC. Tiene una corriente de salida de 4A, incorpora bloqueo Miller activo para evitar los efectos parásitos del paso a conexión e integra un bloqueo por sub-tensión (under-voltage lock-out, UVLO) optimizado para controlar el Mosfet de SiC de Rohm. El UVLO optimizado mejora la fiabilidad del sistema, un aspecto muy sensible en aplicaciones para el automóvil y la industria. Además, la integración de esta función minimiza la lista de componentes externos, reduciendo así el espacio ocupado en la placa de circuito impreso y el esfuerzo de diseño.
Módulos de alimentación completos de SiC de 1200V 400A/600A
Los nuevos módulos de alimentación completos de SiC de 1200V 400A y 600A incorporan nuevos SBD y Mosfet con una nueva estructura de baja inductancia. La función una base de montaje de buena planeidad permite reducir el valor de la resistencia térmica entre la carcasa del módulo y el disipador, disminuyendo así el tamaño del sistema de refrigeración. Estas propiedades hacen que resulten ideales para módulos de alimentación basados en IGBT de Si de 400A, 600A e incluso 1000A, dependiendo de la frecuencia de conmutación de los clientes.
IGBT de 3ª generación
Los IGBT de 650V de 3ª generación de Rohm, basados en una oblea más fina, atenuación de campo y una tecnología sofisticada con una estructura propia de puerta de zanja ('Trench Gate structure'), están logrando un excelente compromiso entre la tensión de saturación y las características de pérdida en el paso a corte. Por encima de todo, los resultados de las medidas uestran un bajo nivel de ruido además de mantener una velocidad de conmutación más elevada. La nueva generación incluye dos versiones: la serie RGTV con protección avanzada frente a cortocircuitos y la serie RGW para convertidores con una baja carga de puerta, capacidad y pérdidas de conmutación extremadamente bajas. Ambas están integradas con un diodo de recuperación rápida de alta velocidad y recuperación suave, proporcionando así una eficiencia óptima a las aplicaciones.
