Nuevos MOSFET de Zanja de Nivel Lógico para una eficiencia y mayor corriente nominal
La nueva gama de MOSFET de potencia HEXFET de zanja (trench) con control de puerta de nivel lógico, de International Rectifier, se caracteriza por los valores de referencia de su resistencia en conducción (RDS(on) y una mayor corriente nominal de encapsulado para aplicaciones de motores CC de alta potencia y herramientas eléctricas, baterías industriales y fuentes de alimentación.
Gracias a la utilización de la más avanzada tecnología de zanja de IR, la nueva familia de MOSFET de referencia ofrece una muy baja RDS(on) a 4,5V de Vgs para mejorar notablemente la eficiencia térmica. Además, la elevada corriente nominal de los dispositivos proporciona una mayor banda de seguridad frente a transitorios no deseados y reduce el número de componentes en topologías tipo paralelo en las que varios MOSFET comparten una corriente elevada. Con una corriente nominal de encapsulado de hasta 195A, los encapsulados TO-220, D2PAK y TO-262 ofrecen una mejora de más del 60% respecto a los valores típicos de encapsulados, mientras que el D2PAK de 7 terminales reduce la RDS(on) hasta un 16% en comparación con el D2PAK estándar para disponer de una opción aún más robusta.
Con su RDS(on) de referencia, los nuevos MOSFET de zanja con control de puerta de nivel lógico se puede gobernar mediante microcontrolador o batería débil para proporcionar una mejor eficiencia con cargas pequeñas, por lo que se adaptan de forma ideal a aplicaciones de conmutación CC/CC de alta corriente y control de motores CC.
La nueva familia de MOSFET de zanja de nivel lógico presenta un rango de tensiones de 40V a 100V. Los dispositivos, cualificados para grado industrial y sensibilidad a la humedad de nivel 1 (MSL1), están disponibles en todos los encapsulados de potencia de tipo estándar, incluyendo TO-220, D2PAK, TO-262, así como D2PAK de 7 terminales. Los dispositivos se suministran libres de plomo y son conformes a RoHS.
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