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Transistores de potencia con tecnología STripFET

Eurofach Electrónica11/11/2009

STMicroelectronics ha introducido una nueva familia de transistores de 30V para montaje superficial (SMD) con una resistencia-on máxima de sólo 2 mΩ para incrementar la eficiencia energética en ordenadores y equipos de telecomunicaciones y redes. Beneficiándose del proceso STripFET VI DeepGATE, que ofrece elevada densidad de celda equivalente, ST ofrece la mejor RDS(ON) de la industria en relación al tamaño de chip activo. Con esta mejora del veinte por ciento con respecto a la generación anterior, es posible usar encapsulados pequeños de montaje superficial para conmutar reguladores y convertidores DC-DC. La tecnología también consigue minimizar la carga de puerta para permitir que los diseñadores usen frecuencias elevadas de conmutación y, por consiguiente, especifiquen componentes pasivos (como inductores y condensadores) de menores dimensiones.

Los principales encapsulados estándares de la industria, incluyendo SO-8, DPAK, PowerFLAT de 5 x 6 y 3.3 x 3.3 mm, PolarPAK, IPAK ‘through-hole’ y SOT23-6L, poseen compatibilidad con las distribuciones actuales pad / pin, al mismo tiempo que mejoran la eficiencia y la densidad eléctrica. De esta forma, ST amplía las oportunidades de aplicación de su familia STripFET VI DeepGATE. Entre los primeros dispositivos introducidos que utilizan este nuevo proceso destacan el STL150N3LLH6, que dota de la menor RDS(ON) por área en el encapsulado PowerFLAT de 5 x 6 mm, y el STD150N3LLH6 con una RDS(ON) de 2.4 mΩ en un encapsulado DPAK.