EF493 - Eurofach Electrónica

64 ALMACENAMIENTO FLASH Nivelación de desgaste del flash Los equipos de diseño deben tener cuidado al especificar qué dispositivos flash y densidades utilizar en sus aplicaciones, ya que, con el tiempo y dependiendo del uso, estos se desgastan. Las memorias flash actuales han migrado de la tecnología de la puerta flotante de silicio policristalino (FG) a las celdas de trampa de carga de nitruro de silicio (CT). Esto significa que los desarrolladores deben ajustar sus expectativas con respecto a la memoria flash, ya que los viejos modelos y reglas ya no se aplican. A pesar de la omnipresencia del flash en los sistemas integrados actuales, se siguen produciendo fallos públicos debido al exceso de acceso escritura/ borrado que han causado las retiradas de los productos debido a preocupaciones de seguridad. Al inicio del proceso de desarrollo del producto, el equipo debe evaluar la regularidad de los accesos de escritura/borrado y la cantidad de datos que se están escribiendo. Esto se compara con las hojas de datos de las potenciales memorias flash. En el caso de un NAND simple y no gestionado que ofreciera 100 000 ciclos de escritura/borrado por bloque de memoria, escribir 100 actualizaciones por hora cada día a un solo bloque resultaría en una vida útil de: Al distribuir los datos escritos en muchos bloques de la memoria, la esperanza de vida de la memoria aumenta considerablemente: dad para marcar o etiquetar bloques de datos como no válidos después de que la versión más reciente de los datos se haya escrito en una nueva página. Este enfoque requiere que se implemente la dirección de bloques lógicos (LBA): una tabla que mantiene un vínculo entre los archivos escritos y su ubicación física real en la memoria. COMPRENDER LA NIVELACIÓN DEL DESGASTE Si se utiliza una parte del mismo flash paradatos estáticos, como los bootloaders o el código de aplicaciones, estas páginas de memoria no sufren casi ningún desgaste. Los enfoques más avanzados de nivelación de desgaste desplazan los datos estáticos a nuevas ubicaciones, lo cual permite que las páginas dememoria asociadas contribuyan a extender la vida útil general de lamemoria flash. Las aplicaciones que usan Linux sebenefician de sistemas de archivos que integran la nivelación de desgaste para el almacenamiento flash NAND no gestionado, como JFFS2 y YAFFS. Otros aspectos que cabe mencionar en cuanto al almacenamiento flash, son el entorno y la velocidad. Las especificaciones de resistencia y retención de datos para el flash se Este enfoque de compartir la carga de escritura/borrado entre una gran cantidad de bloques de memoria flash, se conoce como nivelación de desgaste. En sistemas integrados sin un sistema de archivos, el equipo de desarrollo necesitará implementar un enfoque adecuado en el software. El borrado de una página descarga todas las celdas de memoria a 1, mientras que la escritura carga los bits 0. Sin embargo, al usarse una capacidad conocida como programación parcial, una sola página de memoria flash puede ser escrita un número limitado de veces sin borrar hasta borrar las celdas a 0. Un enfoque de nivelación de desgaste dinámico es capaz de usar esta propie-

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