nuestros tiempos de vuelta y espero también que podamos seguir avanzando con otras revoluciones tecnológicas a través de nuestra asociación con Rohm”. Por su parte, Kazuhide Ino, Group General Manager of Power Device Production Headquarters, Rohm, explica que “Rohm ha estado pro- porcionando productos durante muchos años para los automóviles actuales, basándonos en la calidad como nuestra principal ventaja. En la actualidad, este es un campo en el que nos gustaría prestar especial atención; y los dispositivos semiconductores van a desempe- ñar con toda seguridad un papel crucial en los automóviles híbridos y eléctricos actuales. El dispositivo de potencia en tecnología de SiC que estamos proporcionando para el vehículo de carreras de la Fórmula E es un ejemplo. Ya hemos contribuido con SiC-SBDs en la tercera tem- porada el año pasado (2016-2017), pero este año ofrecemos módulos de potencia a base de SiC que combinan SiC SBDs y SiC MOSFETs. Estos módulos contribuirán a mejorar el rendimiento del vehículo. Espero que podamos seguir contribuyendo a la sociedad a través de la conversión e ciente de la energía en una amplia gama de industrias y sectores, empezando por los vehículos eléctricos”. Gestión térmica optimizada El módulo de potencia basado en SiC que es utilizado en el inversor del coche de competición Fórmula E de Venturi consigue un gran rendimiento gracias al desarrollo de un nuevo encapsulado con una "Durante muchos años, Rohm ha proporcionado una variada gama de productos como CIs para fuentes de alimentación y diversos CIs de control, además de productos especí cos como dispositivos de potencia, resistencias ‘shunt’ y otros componentes electrónicos para uso en automóviles" estructura interna mejorada, así como una gestión térmica optimizada. En comparación con los módulos de IGBTs convencionales con valores de corriente similares, este módulo reduce las pérdidas de conmuta- ción en un 75% (a una temperatura del chip de 150°C). Esto contribuye a la e ciencia energética de toda la aplicación. Además, poder reducir el tamaño de los componentes periféricos del inversor a través del uso de una frecuencia de conmutación más alta, junto con la reducción de las pérdidas de conmutación contribuye también a lograr un sistema de refrigeración más compacto. Al utilizar este módulo de potencia completamente basado en SiC en el inversor (el núcleo del sistema de propulsión), se consigue que este sea un 43% más pequeño y 6 kilogramos más ligero que en la segunda tem- porada. Incluso en comparación con el inversor anterior utilizado en la tercera temporada, es un 30% más pequeño y 4 kilogramos más ligero.• El inversor integra un módulo de potencia a base de SiC que lo hace un 43% más pequeño y 6 kilogramos más ligero que el inversor utilizado en la segunda temporada. En comparación con los módulos de IGBTs convencionales con valores de corriente similares, este módulo reduce las pérdidas de conmutación en un 75% (a una temperatura del chip de 150°C). >>51 APLICACIÓN