MOSFET de potencia para el sector de la automoción
STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de semiconductores para sistemas de automoción, ha ampliado su gama STripFET VI DeepGATE de MOSFET de potencia con la introducción de nueve dispositivos de ‘grado-automoción’ que dotan de beneficios en eficiencia energética, tamaño y coste.
La eficiencia de los sistemas eléctricos está incrementando su importancia para los fabricantes de automóviles, ya que controlan numerosas partes del vehículo, desde elevalunas y limpiaparabrisas al motor, estárter-alternador y dispositivos de recuperación de energía. Además, los vehículos híbridos y eléctricos necesitan una gestión de energía todavía más efectiva.
Los nuevos MOSFET de ST minimizan la cantidad de energía perdida en “drivers” y controles eléctricos, contribuyendo así a incrementar la eficiencia y, simultáneamente, reducir la generación de calor, logrando equipos con menor tamaño y peso.
Esta novedosa serie de dispositivos de potencia de 30 y 40 V usa la tecnología avanzada STripFET VI DeepGATE de ST para disminuir drásticamente las pérdidas de conducción relacionadas con el área del semiconductor.
Los MOSFET también se caracterizan por un rango de ‘resistencia-on’ de 3.0 a 12.5 mΩ en encapsulados de montaje superficial(SMD) DPAK o DPAK2 de pequeño tamaño, ratio de corriente de 44 a 80 A y temperatura operativa entre -55 y +175 °C, así como opciones de ‘logic-level’ y ‘standard-level’.
Para garantizar la fiabilidad y la robustez en el sector de la automoción, todos los nuevos dispositivos han superado pruebas de “avalancha” tanto a nivel de oblea como de producto acabado (homologación AEC-Q101).
Estos MOSFET también permiten aumentar la eficiencia de las fuentes de alimentación y “drivers” para un gran número de aplicaciones y equipos en segmentos fuera de la industria de la automoción.
